去胶剥离机 AST系列
PR STRIPPER/METAL LIFT-OFF
设备配置 1-2 Soak、1-2 Stripper、1-2 Clean
衬底材质 Si、Glass、Sapphire、GaAS、InP、GaN、SiC、LT、LN
适用工艺 金属剥离、光刻胶去除
工艺指标 颗粒控制≤20ea@0.2µm、金属去除率>99%、光刻胶去除率>99%
应用领域 先进封装、MEMS、功率器件、射频集成电路、半导体光学、光通讯、科研等
设备尺寸 3腔2230*1980*2450(W*D*H)、6腔3040*1980*2760(W*D*H)
技术特征：
衬底材质 Si、Glass、Sapphire、GaAS、InP、GaN、SiC、LT、LN
适用工艺 金属剥离、光刻胶去除
工艺指标 颗粒控制≤20ea@0.2µm、金属去除率>99%、光刻胶去除率>99%
应用领域 先进封装、MEMS、功率器件、射频集成电路、半导体光学、光通讯、科研等
设备尺寸 3腔2230*1980*2450(W*D*H)、6腔3040*1980*2760(W*D*H)
技术特征：
· 设备为全自动机台，可自动完成去胶、金属剥离工艺；
· 设备配置浸泡、去胶、清洗三种工艺腔体；
· 浸泡单元使用药液浸泡使晶圆表面的光刻胶溶解；
· 去胶单元对晶圆表面的金属和光刻胶进行去除；
· 清洗单元进行清洗干燥，实现晶圆干进干出；
· 去胶液可过滤回收使用；