单片湿法刻蚀机 AEH系列
WET ETCH
设备配置 2-8 chambers(可选)
衬底材质 Si、SiC、GaAs、InP
适用工艺 氧化硅/氮化硅刻蚀(SiOx/SiNx etch)、金属刻蚀/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化锡/氧化锌(TO/GZo)等
工艺指标 介质刻蚀均匀性<5%、金属刻蚀均匀性<5%、颗粒控制(≤10ea@0.2µm)
应用领域 IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研等
设备尺寸 2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)
技术特征：
衬底材质 Si、SiC、GaAs、InP
适用工艺 氧化硅/氮化硅刻蚀(SiOx/SiNx etch)、金属刻蚀/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc)、氧化锡/氧化锌(TO/GZo)等
工艺指标 介质刻蚀均匀性<5%、金属刻蚀均匀性<5%、颗粒控制(≤10ea@0.2µm)
应用领域 IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研等
设备尺寸 2-4腔2560*2426*2863(W*D*H)、8腔5252*2412*2959(W*D*H)
技术特征：
· 机台可实现多尺寸兼容；
· 工艺腔体经过优化设计，提供优秀的洁净度控制；
· 可兼容铜/钵刻蚀液同腔作业，并实现独立的循环回收使用，最多可兼容4种药液同腔作业；
· 可配合使用Nano spray工艺和IPA N2 dry等干燥工艺；