设备配置 2C2D、4C、4D
衬底材质 Si、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等
适用工艺 G-line、i-line、PI
应用领域 MEMS、功率器件、射频集成、光通讯、LED、科研等
设备尺寸 1500*1450*2200mm(W*D*H)
技术特征:
· 设备故障、生产工艺参数等记录等可长期保存备查;
· 光刻胶采用精密计量泵供应,精度高,供液稳定,出胶量设定方便;
· 可做两种尺寸完全兼容,不需要更换零件;
· 可选配光刻胶显影液温控,HMDS等单元部件;