物理清洗机 ACL系列
SCRUBBER
设备配置 2-8 chambers(可选)
衬底材质 Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT
适用工艺 来料清洗、CMP后清洗、打标后清洗、背面清洗、光刻胶残留清洗
工艺指标 颗粒控制(≤10ea@0.1µm)、金属离子控制(5E9 atms/cm2)
应用领域 IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研、光罩等
设备尺寸 2-4腔2139*1986*2519(W*D*H)、8腔2400*3704*2950(W*D*H)
技术特征：
衬底材质 Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT
适用工艺 来料清洗、CMP后清洗、打标后清洗、背面清洗、光刻胶残留清洗
工艺指标 颗粒控制(≤10ea@0.1µm)、金属离子控制(5E9 atms/cm2)
应用领域 IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研、光罩等
设备尺寸 2-4腔2139*1986*2519(W*D*H)、8腔2400*3704*2950(W*D*H)
技术特征：
· 机台可实现多尺寸兼容；
· 晶圆表面稳定downflow，有效控制腔体内的静态环境和动态环境；
· 多达三个喷液手臂和一个固定喷头，实现多种喷液方式的混合使用；
· 气液分离机制，有机和DIW的分开排废；