| 设备配置 |
2-4 chamber(option: COT、DEV) |
| 设备产能 |
20WPH |
| 衬底材质 |
Si、Glass等 |
| 适用工艺 |
深孔喷胶TSV、高深宽比台阶喷胶. |
| 工艺指标 |
平面均匀性≤5%@5-10um;台阶覆盖率≥30% |
| 应用领域 |
先进封装、MEMS、科研等 |
| 技术特征 |
◼适用于表面刻有深孔的高表面形貌圆形或方形基片的喷涂工艺要求,超声波雾化光刻胶胶粒,可均匀覆盖台阶表面,边缘,侧壁,底部;
◼喷嘴配有自动清洗功能;
◼设备可配置匀胶腔体和显影腔体。 |
| 设备尺寸 |
2665*1724*2432mm(W*D*H) |